Description
Transistor Mosfet N IRFP260NPBF 200V 50A 300W TO-247
- Fabricant : Infineon
- Catégorie du produit : MOSFET
- Technologie : Si
- Style de montage : Through Hole
- Package/Boîte : TO-247-3
- Polarité du transistor : N-Channel
- Vds – Tension de rupture drain-source : 200 V
- Id – Courant continu de fuite : 50 A
- Rds On – Résistance drain-source : 40 mOhms
- Vgs – Tension grille-source : – 20 V, + 20 V
- Vgs th – Tension de seuil grille-source : 1.8 V
- Qg – Charge de grille : 156 nC
- Température de fonctionnement min.: – 55 C
- Température de fonctionnement max.: + 175 C
- Pd – Dissipation d’énergie : 300 W
- Mode canal : Enhancement
- Temps de descente : 48 ns
- Transconductance directe – min.: 27 S
- Hauteur : 20.7 mm
- Longueur : 15.87 mm
- Type de produit : MOSFET
- Temps de montée : 60 ns
- Type de transistor : 1 N-Channel
- Délai de désactivation type : 55 ns
- Délai d’activation standard : 17 ns
- Largeur : 5.31 mm
- Poids de l’unité : 6 g
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