Description

Transistor bipolaire NPN NJW21194G 250V 16A TO-3P-3
  • Fabricant : onsemi
  • Catégorie du produit : Transistors bipolaires – BJT
  • Style de montage : Through Hole
  • Package/Boîte : TO-3P-3
  • Polarité du transistor : NPN
  • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max. : 250 V
  • Collecteur – Tension de base VCBO : 400 V
  • Émetteur – Tension de base VEBO : 5 V
  • Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.4 V
  • Courant CC max. du collecteur : 16 A
  • Pd – Dissipation d’énergie : 200 W
  • Produit gain-bande passante fT : 4 MHz
  • Température de fonctionnement min.: – 65 C
  • Température de fonctionnement max.: + 150 C
  • Conditionnement : Tube
  • Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base : 20
  • Gain de courant CC hFE max. : 80
  • Hauteur : 18.7 mm
  • Longueur : 15.6 mm
  • Type de produit : BJTs – Bipolar Transistors
  • Sous-catégorie : Transistors
  • Technologie : Si
  • Largeur : 4.8 mm
  • Poids de l »unité : 6,756g

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