Description

Transistor IRFB4227PBF Mosfet N 200V 65A TO220

  • Fabricant : Infineon (IRF)
  • Type de transistor : N-MOSFET
  • La technologie : HEXFET®
  • Polarisation : unipolaire
  • Tension drain-source : 200V
  • Courant du drain : 65A
  • Puissance de dissipation : 190W
  • Boîtier : TO220AB
  • Tension entrée-source : ±30V
  • Résistance en état de conduction : 26mΩ
  • Montage : THT
  • Charge d’entrée : 70nC
  • Genre de canal : enrichi

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