Description
Transistor IRFB4227PBF Mosfet N 200V 65A TO220
- Fabricant : Infineon (IRF)
- Type de transistor : N-MOSFET
- La technologie : HEXFET®
- Polarisation : unipolaire
- Tension drain-source : 200V
- Courant du drain : 65A
- Puissance de dissipation : 190W
- Boîtier : TO220AB
- Tension entrée-source : ±30V
- Résistance en état de conduction : 26mΩ
- Montage : THT
- Charge d’entrée : 70nC
- Genre de canal : enrichi

Avis
Il n’y a pas encore d’avis.