Description
Transistor PSMN013-100BS Mosfet Canal N, de puissance 100 V 68A 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK)
- Type de canal : Canal N
- Tension Vds max..: 100V
- Courant de drain Id : 68A
- Résistance Drain-Source à l’état-ON : 0.0108ohm
- Type de boîtier de transistor : TO-263 (D2PAK)
- Montage transistor : Montage en surface
- Tension de test Rds(on) : 10V
- Tension de seuil Vgs Max : 3V
- Dissipation de puissance : 170W
- Nombre de broches : 3Pins
- Température de fonctionnement max..: 175°C
| Alimentation | Secteur Français |
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