Description

Transistor Mosfet-N STP11NK50Z 500V 6,3A 125W TO-220

  • Fabricant : STMicroelectronics
  • Type de transistor : N-MOSFET
  • La technologie : SuperMesh™
  • Polarisation : unipolaire
  • Tension drain-source : 500V
  • Courant du drain : 6.3A
  • Puissance de dissipation : 125W
  • Boîtier : TO220-3
  • Tension entrée-source : ±30V
  • Résistance en état de conduction : 520mΩ
  • Montage : THT
  • Genre de canal : enrichi
  • Caractéristiques des éléments semi-conducteurs : ESD protected gate

Alimentation Secteur Français

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