Description
Transistor Mosfet-N STP11NK50Z 500V 6,3A 125W TO-220
- Fabricant : STMicroelectronics
- Type de transistor : N-MOSFET
- La technologie : SuperMesh™
- Polarisation : unipolaire
- Tension drain-source : 500V
- Courant du drain : 6.3A
- Puissance de dissipation : 125W
- Boîtier : TO220-3
- Tension entrée-source : ±30V
- Résistance en état de conduction : 520mΩ
- Montage : THT
- Genre de canal : enrichi
- Caractéristiques des éléments semi-conducteurs : ESD protected gate
| Alimentation | Secteur Français |

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