Description
Transistor IRFB4229 PBF Mosfet Canal N 250V 46A 330W TO220AB
- Fabricant : Infineon (IRF)
- Type de transistor : N-MOSFET
- La technologie : HEXFET®
- Polarisation : unipolaire
- Tension drain-source : 250V
- Courant du drain : 46A
- Puissance de dissipation : 330W
- Boîtier : TO220AB
- Tension entrée-source : ±30V
- Résistance en état de conduction : 46mΩ
- Montage : THT
- Charge d’entrée : 72nC
- Genre de canal : enrichi
| Alimentation | Secteur Français |

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