Description

Transistor IRFB4229 PBF Mosfet Canal N 250V 46A 330W TO220AB

  • Fabricant : Infineon (IRF)
  • Type de transistor : N-MOSFET
  • La technologie : HEXFET®
  • Polarisation : unipolaire
  • Tension drain-source : 250V
  • Courant du drain : 46A
  • Puissance de dissipation : 330W
  • Boîtier : TO220AB
  • Tension entrée-source : ±30V
  • Résistance en état de conduction : 46mΩ
  • Montage : THT
  • Charge d’entrée : 72nC
  • Genre de canal : enrichi

Alimentation Secteur Français

Avis

Il n’y a pas encore d’avis.

Soyez le premier à laisser votre avis sur “Transistor IRFB4229 PBF Mosfet Canal N 250V 46A 330W TO220AB”

Votre adresse e-mail ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont indiqués avec *