Description
Transistor FQA6N90C MOSFET N de puissance TO-3PN 900V 6A
- Type de canal : N
- Courant continu de Drain maximum : 6 A
- Tension Drain Source maximum : 900 V
- Type de boîtier : TO-3PN
- Type de montage : Traversant
- Nombre de broches : 3
- Résistance Drain Source maximum : 2,3 Ω
- Mode de canal : Enrichissement
- Tension de seuil minimale de la grille : 3V
- Dissipation de puissance maximum : 198 W
- Configuration du transistor : Simple
- Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V
- Nombre d’éléments par circuit : 1
- Largeur : 5mm
- Longueur : 15.8mm
- Hauteur : 18.9mm
- Matériau du transistor : Si
- Série : QFET
- Température de fonctionnement minimum : -55 °C
- Charge de Grille type @ Vgs : 30 nC @ 10 V
- Température d’utilisation maximum : +150 °C
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