Description
Transistor bipolaire BJT PNP -40V -3A TO-252-3
- Fabricant : Diodes Incorporated
- Catégorie du produit : Transistors bipolaires – BJT
- Style de montage : SMD/SMT
- Package/Boîte : TO-252-3
- Polarité du transistor : PNP
- Configuration : Single
- Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max. : – 32 V
- Collecteur – Tension de base VCBO : – 40 V
- Émetteur – Tension de base VEBO : – 5 V
- Tension de saturation collecteur-émetteur : – 0.8 V
- Courant CC max. du collecteur : – 3 A
- Pd – Dissipation d’énergie : 10 W
- Produit gain-bande passante fT : 110 MHz
- Température de fonctionnement min. : – 55 C
- Température de fonctionnement max. : + 150 C
- Qualification : AEC-Q101
- Série : 2DB11
- Gain de courant CC hFE max. : 270 at – 500 mA, – 3 V
- Marque : Diodes Incorporated
- Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base : 120
- Type de produit : BJTs – Bipolar Transistors
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