Description
MOSFET canal N, 9 A 800 V, Zener-protected superMESH, 0.78 ohms
- Type de canal : N
- Courant continu de Drain maximum : 9A
- Tension Drain Source maximum : 800V
- Type de boîtier : A-220
- Type de montage : Traversant
- Nombre de broches : 3
- Résistance Drain Source maximum : 900 mΩ
- Mode de canal : Enrichissement
- Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V
- Tension de seuil minimale de la grille : 3V
- Dissipation de puissance maximum : 160 W
- Configuration du transistor : Simple
- Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V
- Matériau du transistor : Si
- Largeur : 4.6mm
- Longueur : 10.4mm
- Température d’utilisation maximum : +150 °C
- Nombre d’éléments par circuit : 1
- Charge de Grille type @ Vgs : 72 nC @ 10 V
- Série : MDmesh, SuperMESH
- Hauteur : 9.15mm
- Température de fonctionnement minimum : -55 °C
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