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Description

Transistor RQ5H020SPTL MOSFET-P unipolaire -45V -2A -8A 1W 0,13ohm TSMT3

  • Type de canal: Canal P
  • Polarité transistor: Canal P
  • Courant de drain Id: 2A
  • Tension Vds max..: 45V
  • Résistance Drain-Source à l’état-ON: 0.13ohm
  • Résistance Rds(on): 0.13ohm
  • Tension de test Rds(on): 10V
  • Montage transistor: Montage en surface
  • Tension de seuil Vgs Max: 3V
  • Dissipation de puissance Pd: 1W
  • Type de boîtier de transistor: TSMT
  • Nombre de broches: 3Broche(s)
  • Dissipation de puissance: 1W
  • Température de fonctionnement max..: 150°C

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