Description
Transistor RQ5H020SPTL MOSFET-P unipolaire -45V -2A -8A 1W 0,13ohm TSMT3
- Type de canal: Canal P
- Polarité transistor: Canal P
- Courant de drain Id: 2A
- Tension Vds max..: 45V
- Résistance Drain-Source à l’état-ON: 0.13ohm
- Résistance Rds(on): 0.13ohm
- Tension de test Rds(on): 10V
- Montage transistor: Montage en surface
- Tension de seuil Vgs Max: 3V
- Dissipation de puissance Pd: 1W
- Type de boîtier de transistor: TSMT
- Nombre de broches: 3Broche(s)
- Dissipation de puissance: 1W
- Température de fonctionnement max..: 150°C

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