Description
Transistor FQP32N20C Mosfet N 200V 17,8A 156W TO220AB
- Fabricant : ONSEMI
- Type de transistor : N-MOSFET
- La technologie : QFET®
- Polarisation : unipolaire
- Tension drain-source : 200V
- Courant du drain : 17.8A
- Puissance de dissipation : 156W
- Boîtier : TO220AB
- Tension entrée-source : ±30V
- Résistance en état de conduction : 82mΩ
- Montage : THT
- Charge d’entrée : 110nC
- Genre de canal : enrichi

Avis
Il n’y a pas encore d’avis.