Description

Transistor FQP32N20C Mosfet N 200V 17,8A 156W TO220AB

  • Fabricant : ONSEMI
  • Type de transistor : N-MOSFET
  • La technologie : QFET®
  • Polarisation : unipolaire
  • Tension drain-source : 200V
  • Courant du drain : 17.8A
  • Puissance de dissipation : 156W
  • Boîtier : TO220AB
  • Tension entrée-source : ±30V
  • Résistance en état de conduction : 82mΩ
  • Montage : THT
  • Charge d’entrée : 110nC
  • Genre de canal : enrichi

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