Description

TRANSISTOR FQPF8N60C MOSFET de puissance, Canal N, 7.5 A, 600 V

  • Polarité transistor: Canal N
  • Courant de drain Id: 7.5A
  • Tension Vds max..: 600V
  • Résistance Rds(on): 1 ohm
  • Tension, mesure Rds: 10V
  • Tension de seuil Vgs: 4V
  • Dissipation de puissance Pd: 48W à 25°C
  • Boîtier de transistor: TO-220 iso TO-220F
  • Température de fonctionnement max..: 150°C

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